Técnica de microscopía podría ayudar a desarrollar chips 3D

Transistores de tres compuertas tridimensionales (FinFET) se encuentran entre las estructuras de microchip 3D que podrían medirse usando la técnica TSOM. (crédito: Intel Corporation)

Transistores de tres compuertas tridimensionales (FinFET) se encuentran entre las estructuras de microchip 3D que podrían medirse usando la técnica TSOM. (crédito: Intel Corporation)

Científicos del Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST por sus siglas en inglés) han aplicado una técnica de microscopía para ver objetos en nanoescala para observar los componentes de circuitos de la siguiente generación de chips de computadora en 3D, proporcionando así de manera potencial a la industria de los semiconductores una herramienta crucial para mejorar los chips para la siguiente década o más.

Los científicos demostraron que su técnica, llamada Through-Focus Scanning Optical Microscopy (TSOM), puede detectar diferencias a nanoescala en formas con tres dimensiones de nuevos componentes de circuito, los cuales han sido esencialmente de sólo dos dimensiones.

El TSOM es sensible a características que son tan pequeñas como 10 nanómetros de diámetro, quizá aún más pequeñas –abordando así algunos retos de medición de la industria para el proceso de control de fabricación y ayudar así a conservar la viabilidad de la microscopía óptica en la fabricación electrónica.

Nuevas generaciones de chips en estructuras 3D que colocan componentes uno arriba del otro, y con la seguridad que estos componentes tienen la forma y tamaño deseados, requiere una capacidad totalmente nueva de medición.

“Con anterioridad, todo lo que requeríamos hacer era demostrar que podíamos medir con exactitud el ancho de una línea de cierto número de nanómetros”, explica Ravikiran Attota. “Ahora, sera necesario medir todos los lados de la estructura tridimensional que tiene más rincones y grietas que muchos edificios modernos. Y la misma naturaleza de la luz hace eso difícil”.

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