Nuevo material semiconductor para dispositivos de almacenamiento de datos ‘spintronics’

Sección transversal de micrográfica de transmisión de electrón en una capa delgada de óxido de estaño y estroncio en un chip.  (Crédito: Y. F. Lee et al./APL)

Sección transversal de micrográfica de transmisión de electrón en una capa delgada de óxido de estaño y estroncio en un chip. (Crédito: Y. F. Lee et al./APL)

Investigadores de la Universidad Estatal de Carolina del Norte han creado un nuevo compuesto que puede integrarse en chips de silicio y es a la vez un semiconductor magnético diluido –lo que significa que podría utilizarse para fabricar dispositivos de “spintrónica”, que utilizan la fuerza magnética para funcionar en lugar de corriente eléctrica.

La “spintrónica” se refiere a tecnologías utilizadas en dispositivos de estado sólido que sacan ventaja del “spin” inherente a electrones y su momentum magnético relacionado para almacenar información

Los investigadores sintetizaron un nuevo compuesto, óxido de estaño y estroncio (Sr3SnO), como una delgada película epitaxial sobre un chip de silicio (Epitaxial significa que el material es un solo cristal).

El compuesto Sr3SnO es un semiconductor magnético diluido, por lo que podría utilizarse para crear transistores que operen a temperatura ambiente basado en campos magnéticos en lugar de corriente eléctrica.

“Existen otros materiales que son semiconductores magnéticos diluidos, pero los investigadores han batallado para integrar esos materiales en un substrato de silicio, lo que es básico para su uso en dispositivos inteligentes multifuncionales” dijo Jay Narayan, profesor de Ciencia de Materiales e Ingeniería en Carolina del Norte y autor del artículo donde se describe la investigación.

Más información aquí.