Investigadores de la UCLA han fabricado el transistor de grafene más veloz, al usar un nuevo proceso de fabricación con un nanocable actuando como compuerta auto alineada.
Las compuertas auto alineadas son un elemento clave en los transistores modernos, dispositivos semiconductores usados como amplificadores e interruptores. Las compuertas son usadas como interruptor de estado en un transistor, y las compuertas auto alineadas se desarrollaron como una respuesta a los problemas de falta de alineación encontrados en la escala de miniaturización electrónica.
“Esta nueva estrategia soluciona dos limitaciones encontradas en los transistores de grafene”, dijo el profesor Xiangfeng Duan. “Primero, no se producen defectos detectables en el grafene durante el proceso de fabricación, de tal manera que high carrier mobility se retiene. Segundo, utilizando un acercamiento de auto alineación con una compuerta de nanocable, el grupo pudo solucionar las dificultades encontradas y fabricar dispositivos de canal muy corto con un performance no logrado con anterioridad”.
Estos adelantos le permitieron al equipo demostrar el transistor de grafene más veloz, con una frecuencia de hasta 300GHz -comparable con los mejores transistores fabricados con materiales de electrones de alta mobilidad tales como el gallium arsenide o indium phosphide.
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