Transistor de túnel basado en heteroestructuras verticales de grafene
Un transistor de efecto de campo puede hacer del grafene el próximo silicio. Este transistor ha sido desarrollado por un equipo de la Universidad de Manchester encabezado por el Profesor Andre Geim y el Professor Konstantin Novoselov, ambos galardonados con el premio Nobel.
Uno de las muchas aplicaciones potenciales del grafene es su uso como material de base para chips de computadoras en lugar del uso del silicio. Este potencial ha llamado la atención de los grandes fabricantes de chips, incluyendo a la IBM, Samsung, Texas Instruments y de Intel. Transistores individuales de muy alta frecuencia (hasta 300GHz) ya han sido mostrados por varios grupos alrededor del mundo.
Desafortunadamente, esos transistores no pueden ser colocados compactamente en un chip de computadora ya que tienen demasiada fuga de corriente, incluso en el estado más aislado de grafene. Esta corriente eléctrica puede causar que los chips se derritan en una fracción de segundo.
Los científicos de la Universidad de Manchester usan el grafene de forma no lateral o plana -tal y como hicieron todos los estudios previos- sino en dirección vertical, configurando el grafene como un tipo de diodo túnel (un electrodo del cual los electrones tunelean a través de dieléctrico hacia otro metal).
Posteriormente, utilizaron una característica única del grafene: que un voltaje externo puede cambiar grandemente el puente de energía de los electrones en túnel. El resultado fue un nuevo tipo de dispositivo: un transistor de efecto campo de túnel vertical en el cual el grafene es un componente crítico.
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