Memoria transparente y flexible (crédito: Tour Lab/Rice University)

Memoria transparente y flexible (crédito: Tour Lab/Rice University)

Investigadores de la Universidad Rice, encabezados por el químico James Tour, publicaron un artículo en Nature Communications donde describen sus chips transparentes de memoria resistentes al calor y radiación, no volátil, creados en el laboratorio del mismo Tour a partir de óxido de silicio empaquetado entre electrodos de grafene, la forma del carbono de sólo un átomo de ancho.

Hace ya más de cuatro años, este equipo descubrió que era posible crear bits de memoria de computadora a partir del silicio y el carbono. En un paso hacia adelante, han sido capaces de colocar sus chips de prueba dentro de piezas flexibles de plástico, creando así memorias transparentes del grosor de un hoja de papel, que esperan pueda fabricarse en grandes cantidades a precio razonable.

Imagina pantallas con electrónica insertada en ellas o celulares flexibles y transparentes. “Ha empezado a crecer el interés”, indicó Tour, profesor de esa universidad.  “Estamos trabajando con varias empresas interesadas ya sea en adquirir esta tecnología para sus chips o en la posibilidad de fabricar dispositivos resistentes a la radiación a partir de nuestra investigación”.

En realidad, algunos chips de muestra creados en Rice han sido ya  enviados a la Estación Internacional Espacial, para evaluar su capacidad de soportar radiación en ambientes hostiles.

“Hemos visto un par de anuncios por parte de DARPA pidiendo propuestas de dispositivos basados en óxido de silicio, lo mismo que hemos mostrado. Creemos que hay más personas interesadas en investigar este método”, dijo Tour.

Los fabricantes han podido colocar millones de interruptores en pequeños dispositivos, tales como la memoria flash, pero hoy se encuentran en los límites físicos  de su propia arquitectura, que requiere tres cables -o terminales- para controlar y leer cada bit.

Es por eso que las unidades creadas en Rice, de sólo dos terminales, hacen este proceso mucho menos complicado. Significa que arreglos de memorias de dos terminales podrían ser colocados en configuraciones de tres terminales, lo que incrementaría enormemente la cantidad de información que un chip puede contener.

Y lo mejor de todo, el mecanismo que lo hace posible no está fabricado de grafito sino de óxido de silicio.

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