Envío Etiquetado ‘alternativa ultradelgada al silicón’

Alternativa ultradelgada al silicón en la electrónica del futuro.

Alternativa ultradelgada al silicón en la electrónica del futuro.

Investigadores del U.S. Department of Energy’s Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley Lab) y la Universidad de California (UC) Berkeley, han integrado satisfactoriamente capas ultradelgadas del semiconductor indium arsenide en una capa de silicón para crear un transistor a nanoescala (hasta 10 nanómetros de capa de silicón).