Alternativa ultradelgada al silicón en la electrónica del futuro.

Investigadores del U.S. Department of Energy’s Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley Lab) y la Universidad de California (UC) Berkeley, han integrado satisfactoriamente capas ultradelgadas del semiconductor indium arsenide en una capa de silicón para crear un transistor a nanoescala (hasta 10 nanómetros de capa de silicón).